BJT의 特性(특성) 및 DC Bias 회로
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작성일 23-01-26 00:53본문
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(2) VBB전압이 증가함에 따라 IC가 증가하므로 VC전압은 감소하게 되어 동작 영역은 Cutt-Off, Active 그리고 Saturation으로 변화해 간다. VCC=10V, RC=10㏀ (1) VBB 전압을 조절하여 VB전압을 0~0.8 V의 범위에서 증가시키면서 컬렉터 전압 VC,가지 전류 IB, IC, IE를 측정한다.
*實驗에서 전류를 측정(測定) 할 때에는 해당 가지의 저항에 걸리는 전압을 저항 값으로 나누면 정확한 값을 얻는다.
순서
(1) VBB 전압을 조절하여 VB전압을 0~0.8 V의 범위에서 증가시키면서 컬렉터 전압 VC,가지 전류 IB, IC, IE를 측정(測定) 한다. VCC=10V, RC=10㏀
αF와 βF의 값을 비교 설명하라.
(2) VC=5V가 되도록 RC의 값을 다음 식을 이용하여 구한 다음 그림 8의 회로를 완성한다.
(1) 저항 R1과 R2의 값을 조절하여 시뮬레이션에서 정해진 VB값을 얻는다. 만약 IC값이 0.5㎃가 아니면 실험 (1)로 돌아가 저항 R1과 R2의 값을 적절히 조절하여 IC=0.5㎃가 되도록 한다.
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실험 11.3 바이어스의 안정을 위해 에미터 저항 RE가 추가된 회로를 설계 및 실습 한다 (그림 9)
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설명
실험 11.2 1개의 전원을 사용하는 Discrete BJT(CA3046)의 바이어스 회로를 설계 및 실습한다. VB와 VC결과로부터 동작영역을 구하고, IB*,IC*,IE*값으로부터 aF와 bF를 구하여 표 2에 기록한다. VBE값은 앞의 실험 11.2에서구한값을사용하고 RE=1㏀이다.
實驗 11.1 바이어스에 따른 BJT Transistor(CA3046)의 aF와 bF, 그리고 동작영역을 그림 7 회로의 實驗을 통해 알아본다.
BJT의 特性(특성) 및 DC Bias 회로
실험 11.1 바이어스에 따른 BJT Transistor(CA3046)의 aF와 bF, 그리고 동작영역을 그림 7 회로의 실험을 통해 알아본다. 이러한 동작영역과 VBC, VBE, VCE사이의 관계를 설명하고 각 동작영역에서 전류 이득
(1) 이번 경우에는 같은 IC=0.5㎃를 얻기 위해서는 VB전압이 실험 11.2의경우보다 IERE만큼 다음 식과 같이 높아진다. VB와 VC결과로부터 동작영역을 구하고, IB*,IC*,IE*값으로부터 aF와 bF를 구하여 표 2에 기록한다. 이때 바이어스회로 전류가 1㎃ 이하가 되도록 하는 조건을 지켜야 한다. *실험에서 전류를 측정할 때에는 해당 가지의 저항에 걸리는 전압을 저항 값으로 나누면 정확한 값을 얻는다. 그리고 모든 DC 바이어스 값을 확인한다. 바이어스회로에 의해 BJT는 active 영역에 동작하게 되며, 소자의 각 노드(에미터, 베이스, 컬렉터)에 전압 및 원하는 소자 전류( IC)를 공급한다. IC=0.5㎃, VC=5V가 되도록 바이어스회로를 설계한다. 여기에서 VCC=10V이다. 바이어스 회로의 전류는 1㎃ 이하가 되도록 한다.
다.